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EEPROM

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 Electrically Erasable Programmable Read Only Memory

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是非易失存储器,可以用电来反复擦写。擦写时可以以字节(byte)为单位改写,这对于数据保存是最合适的。
ROHM的EEPROM系列是具有高可靠性的最高水平的系列产品。
ROHM的EEPROM系列产品按世界顶级水平备有多种容量、多种接口方式和不同封装形式,在世界上占用很高的市场份额。ROHM的EEPROM系列产品与世界标准的总线方式(Microwire、I2C、SPI)兼容,而且工作电源电压范围宽(1.8V to 5.5V、2.5V to 5.5V), 产品功耗也很低。
并且,整个系列中各个型号的产品都采用ROHM独创的双单元(W-cell)结构,使得对存储器说来最为重要的数据可靠性大幅度提高。
系列中的所有型号产品都是无铅产品,适应RoHS指令。

串行EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) 是非易失存储器,可以用电来反复擦写。擦写时可以以字节 (byte) 为单位改写,这对于数据保存是最合适的。
ROHM 的串行EEPROM系列是具有高可靠性的最高级别的系列。

EEPROM系列是具有高可靠性的最高水平的系列产品。
独创的双单元(W-cell)结构、防止数据误写入的双复位功能保护了重要的数据。
而且,利用金焊接点和金引线获得高可靠性的连接。
另外,从大圆片到装配所有工序用一条龙生产线来完成,可以为用户稳定地供应高质量产品。

 

 

 

Part No. I/F Capacity
(kbit)
Bit Format
(word×bit)
Supply
Voltage
(V)
Operating
Temperature
Range
(ºC)
Max.Write
Cycle
Time
(ms)
RoHS
BR35H010 SPI BUS 1 128×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR35H020 SPI BUS 2 256×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR35H040 SPI BUS 4 512×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR35H080 SPI BUS 8 1K×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR35H160 SPI BUS 16 2K×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR35H320 SPI BUS 32 4K×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR35H640 SPI BUS 64 8K×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR35H128 SPI BUS 128 16K×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR25H010 SPI BUS 1 128×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR25H020 SPI BUS 2 256×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR25H040 SPI BUS 4 512×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR25H080 SPI BUS 8 1K×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR25H160 SPI BUS 16 2K×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR25H320 SPI BUS 32 4K×8 2.5 ~ 5.5 -40 ~ +125 5 Yes
BR93H46 Microwire BUS 1 64×16 2.7 ~ 5.5 -40 ~ +125 10 Yes
BR93H56 Microwire BUS 2 128×16 2.7 ~ 5.5 -40 ~ +125 10 Yes
BR93H66 Microwire BUS 4 256×16 2.7 ~ 5.5 -40 ~ +125 10 / 5* Yes
BR93H76 Microwire BUS 8 512×16 2.7 ~ 5.5 -40 ~ +125 10 Yes
BR93H86 Microwire BUS 16 1K×16 2.7 ~ 5.5 -40 ~ +125 10 Yes

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